A reta de carga AC tem inclinação diferente porque condensadores de bypass (CE) e de acoplamento (CC) curto-circuitam RE e a fonte em AC:
Problema com variação de β:
A configuração mais estável para o ponto Q:
+VCC
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[RB1]
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+──── Base
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[RB2]
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GND
Tensão na base (divisor):
VE e IE:
Dado: VCC, ICQ desejado, β(típico)
Passo 1 — Escolher VE ≈ 10% de VCC (estabilização):
Passo 2 — VCE no ponto Q ≈ VCC/2:
Passo 3 — Tensão de base:
Passo 4 — Divisor de tensão (corrente do divisor ≈ 10 × IBQ):
Dados: VCC = 12 V, ICQ = 1 mA, β = 150
Configuração mais usada para amplificação de tensão:
+VCC
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[RC]
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Vin──[CC1]──B
C──[CC2]── Vout
E
[RE]──[CE]
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GND
Resistência de emissor intrínseca (re):
Ganho de tensão (com CE em curto-circuito em AC):
Sem CE (RE visível em AC):
Impedância de entrada:
Impedância de saída:
O amplificador EC comporta-se como passa-banda:
Frequências de corte inferiores (–3 dB) — determinadas por CC1, CC2, CE:
Frequência de corte superior — transistor tem capacidades parasitas (Cbe, Cbc):
A banda de passagem: fL < f < fH — o ganho é plano e máximo.
Também chamado seguidor de emissor (emitter follower):
+VCC
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B──[CC1]── Vin
C
E──[CC2]── Vout
[RE]
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GND
Características:
Buffer: adapta impedâncias sem alterar o sinal
| Parâmetro | Emissor Comum | Coletor Comum |
|---|---|---|
| Ganho Av | –RC/re (alto, com inversão) | ≈ 1 (sem inversão) |
| Zin | Média (kΩ) | Alta (decenas kΩ) |
| Zout | Alta (≈ RC, kΩ) | Baixa (decenas Ω) |
| Inversão de fase | Sim (180°) | Não |
Aplicações:
+VCC
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[RC]
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Vin──[CC1]──E C──[CC2]── Vout
B
[RB] (ligado a tensão de polarização ou GND em AC)
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GND
Características:
| Parâmetro | Base Comum |
|---|---|
| Ganho Av | RC/(re) — alto, sem inversão de fase |
| Zin | Muito baixa (≈ re, dezenas de Ω) |
| Zout | Alta (≈ RC, kΩ) |
| Ganho de corrente | < 1 (Ai = α ≈ 0,99) |
Aplicações: amplificadores de RF (rádio frequência), VCO, mixers — onde a baixa impedância de entrada é vantajosa para adaptação de impedância a 50 Ω.
| Parâmetro | Emissor Comum | Coletor Comum | Base Comum |
|---|---|---|---|
| Ganho Av | Alto (−RC/re) | ≈ 1 | Alto (+RC/re) |
| Inversão fase | Sim | Não | Não |
| Zin | Média | Alta | Muito baixa |
| Zout | Alta | Baixa | Alta |
| Ganho de corrente Ai | β | β+1 | α < 1 |
| Ganho de potência | Muito alto | Médio | Alto |
| Aplicação típica | Amplificação geral | Buffer/driver | RF |
Microfone dinâmico: saída ≈ 1 mV, impedância ≈ 600 Ω.
Objectivo: ganho de 40 dB (× 100).
Estágio 1 (EC com baixo ruído):
Condensadores de acoplamento:
Ruído: usar transistor de baixo ruído (BC549C, 2SC945) ou JFET (J112).
Classe A: o BJT conduz durante todo o ciclo do sinal.
Ponto Q: VCE = VCC/2, IC = VCC / (2 × RC)
Potência AC máxima na carga:
Com VCC = 12 V, RL = 8 Ω: Pmax = 144/(64) = 2,25 W (teórico)
Na prática ≈ 1 W (eficiência real 40%)
Dissipação no BJT: Pd = VCC × IC – Pout ≈ 3,6 W → dissipador + BD139 (TO-126, 8W)
A distorção harmónica total (THD) mede a qualidade do amplificador:
Causas de distorção:
Reduzir distorção:
Polarização estável
As 3 configurações BJT
Qualidade de sinal